FRAM Click

MIKROE-1486

Nuevo producto

FRAM Click™ trae 256K (32.768 palabras x 8 bits) de memoria de acceso aleatorio Ferroelectric  a su diseño. Cuenta con el módulo MB85RS256A  que utiliza tecnologías de proceso ferroeléctricos y de compuerta de silicio CMOS para la formación de las células de memoria no volátil.

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FRAM Click

FRAM Click™ trae 256K (32.768 palabras x 8 bits) de memoria de acceso aleatorio Ferroelectric  a su diseño. Cuenta con el módulo MB85RS256A  que utiliza tecnologías de proceso ferroeléctricos y de compuerta de silicio CMOS para la formación de las células de memoria no volátil.

Es capaz de conservar los datos sin necesidad de utilizar una batería de respaldo. La memoria se puede utilizar para las operaciones de lectura/escritura hasta 10 billones de veces y no toma mucho tiempo para escribir datos a diferencia de las memorias Flash o EEPROM. 

Utiliza SPI para comunicarse con el dispositivo destino. 

Frecuencia de operación máxima de 25MHz. Está diseñada para ser utilizada sólo a 3.3V.

Especificaciones técnicas

Aplicaciones

FRAM es capaz de escribir a muy alta velocidad a pesar de que una memoria no volátil, es adecuada para la gestión de registros y el almacenamiento de datos como curriculum vitae, etc.

Las características clave

  • 256K (32.768 palabras x 8 bits) de memoria memoria fram.
  • Comunicación SPI (25MHz máx frecuencia de reloj).
  • Alta resistencia: 10 mil millones de Lectura/Escritura.
  • Es capaz de conservar los datos sin necesidad de utilizar una batería de respaldo.
mikroBUS Apoyado

mikroBUS ™ está especialmente diseñado norma pinout con SPI, I2C, analógico, UART, Interrupción, PWM, Mapa y suministro de energía pines.

Beneficios clave

  • Formato mikroBUS™ que permite una fácil integración.
  • Apoyado en los compiladores de MikroElektronika.
  • Ejemplos listos para usar ahorrando tiempo de desarrollo.
  • Diseño compacto con serigrafías de alta calidad.

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FRAM Click™ trae 256K (32.768 palabras x 8 bits) de memoria de acceso aleatorio Ferroelectric  a su diseño. Cuenta con el módulo MB85RS256A  que utiliza tecnologías de proceso ferroeléctricos y de compuerta de silicio CMOS para la formación de las células de memoria no volátil.

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